描述
少子寿命测量仪BCT-400
Sinton BCT-400
是基于涡流传感器和红外光致光电导方法直接测量单晶或者多晶硅棒体少子寿命的设备，具有瞬态和准稳态两种测量模式。该设备可探测3mm 深度范围少子寿命，并能输出不同载流子注入水平下的少子寿命值，可实现低电阻率硅单晶少子寿命测量，并能通过软件端光强偏置实现单晶缺陷密度计算。
BCT-400 设备将为光伏客户生产高质量太阳能级 单晶硅片提供有力的质量保证手段。
BCT-400测量系统不需要做表面钝化就能直接测量单晶和多晶硅（锭或块）的少子寿命.
因为少子寿命作为衡量生长和缺陷含量的的最敏感的技术参数，这个工具直接获得长硅的质量参数。
作为最易于使用的测量工具－－BLS，只需要有直径150mm大小的平面。如果只是测量平面样品的话，请选择BCT-400。
产品简述：
1.用途（高频光电导）
用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量，除需要有一个测量平面外，对样块
体形无严格要求，可测块状和片状单晶寿命。寿命测量可灵敏地反映单晶体
内重金属杂质污染及缺陷存在的情况，是单晶质量的重要检测项目。
2.设备组成
2.1光脉冲发生装置
重复频率＞25次/s 脉宽＞60μｓ 光脉冲关断时间＜1μｓ
红外光源波长：1.06～1.09μm（测量硅单晶） 脉冲电流：5A～20A
Sinton 少子寿命测量仪，BCT-400测试硅锭，BLS-I测试硅棒，Sinton X-闪光灯头，Sinton X5D闪光灯头，Sinton X闪光灯座。
Sinton BCT-400少子寿命测量仪
BCT-400测量系统不需要做表面钝化就能直接测量单晶和多晶硅（锭或块）的少子寿命.
是基于涡流传感器和红外光致光电导方法直接测量单晶或者多晶硅棒体少子寿命的设备，具有瞬态和准稳态两种测量模式。该设备可探测3mm 深度范围少子寿命，并能输出不同载流子注入水平下的少子寿命值，可实现低电阻率硅单晶少子寿命测量，并能通过软件端光强偏置实现单晶缺陷密度计算。
Sinton BLS-I少子寿命测量仪
BLS-I测量系统用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量，除需要有一个测量平面外，对样块 体形无严格要求，可测块状和片状单晶寿命。寿命测量可灵敏地反映单晶体 内重金属杂质污染及缺陷存在的情况，是单晶质量的重要检测项目。
如测量锗单晶寿命需配置适当波长的光源
测量参数 少子寿命、电阻率、陷阱密度
可测量的少子寿命范围 0.1us-10ms
可测量的电阻率范围 0.5-300ohm.cm
分析模式
准稳态方法少子寿命分析
瞬态方法少子寿命分析
一般方法少子寿命分析
可施加的用于修正陷阱的偏执光范围 0-50suns
可以测量的样品的表面类型
表面为平的硅块样品（BCT-400）
表面不平整的硅块样品（BLS-I）
不平整弧度的直径可达150mm
光源光谱 白光和红外光
感应器的面积 45cm*45cm
可测量深度 3mm
操作简单、灵敏度高
BLS-I and BCT-400测量系统对于单晶硅或多晶硅（硅锭或硅块）不需要进行表面钝化就可以进行寿命测量。因为寿命测量是描述生长特征和污染缺陷灵敏度先进的技术，这些工具允许你评估硅生长后的质量。
性能优越
非接触方式量测真正意义上的硅块少子寿命，符合SEMI的PV13标准；相比业界其他少子寿命测试仪BLS-I/BCT系列是性能更优越的少子寿命测试仪。
多型号选择
如果想要设备能够测量多种的表面类型（150mm直径到平滑的）请选BLS-1.如果是仅需要测量平滑表面，请选择BCT-400.
BCT400/BLS-1应用
厂商品质监控常见的测量设备，拥有广泛客户群
•测量寿命在1-5ms(豪秒）范围内的高纯度硅
•测量没有进行特殊表面处理的原生直拉硅
•测量多晶硅块的寿命和俘获浓度
•探测氧化硼缺陷，铁污染，和表面损害
•测试直拉硅，区熔硅，多晶硅或高纯冶金硅的初始原料质量
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